エヌ・ビー・イー（NVE Corporation）は電子スピンに依存して情報を取得・保存・送信するナノテクノロジーであるスピントロニクスを使用するデバイスを開発・販売する。
【事業内容】
同社はデータの取得・送信に使われるセンサー及びカプラを含むスピントロニクス製品を製造する。また、同社はまた、スピントロニクス磁気抵抗ランダムアクセスメモリ技術（MRAM）のライセンスを他社に供与する。その部品は、産業、科学、医療の各アプリケーションにある。同社の製品には、センサー、カプラー、MRAM製品が含まれる。そのセンサ製品は磁場の強さまたは勾配を検出し、位置または速度を決定するために使用される。そのスピントロニクスカプラは、GMRセンサ素子とIsoLoop集積微視的コイルとを組み合わせている。MRAMはスピントロニクスを使用してデータを保存する。同社はスタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）の速度、ダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）の密度、およびフラッシュメモリの不揮発性を組み合わせている。データは、金属合金薄膜中の電子のスピンに蓄積される。
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